DMN3060LVT-13
Nur als Referenz
| Teilenummer | DMN3060LVT-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMN3060LVT-13 |
| Beschreibung | MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.474 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 26 - Mär 31 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMN3060LVT-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN3060LVT-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMN3060LVT-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | * |
| FET-Typ | - |
| FET-Funktion | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3315pF @ 6V Leistung - max 2.67W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket X3-DSN3518-6 |
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