Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMN3030LSS-13

DMN3030LSS-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMN3030LSS-13
PNEDA Teilenummer DMN3030LSS-13
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.202
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Sep 23 - Sep 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN3030LSS-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN3030LSS-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMN3030LSS-13, DMN3030LSS-13 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 504,54 KB)
PDFDMN3030LSS-13 Datenblatt Cover
DMN3030LSS-13 Datenblatt Seite 2 DMN3030LSS-13 Datenblatt Seite 3 DMN3030LSS-13 Datenblatt Seite 4 DMN3030LSS-13 Datenblatt Seite 5 DMN3030LSS-13 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMN3030LSS-13 Datasheet
  • where to find DMN3030LSS-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN3030LSS-13
  • DMN3030LSS-13 PDF Datasheet
  • DMN3030LSS-13 Stock

  • DMN3030LSS-13 Pinout
  • Datasheet DMN3030LSS-13
  • DMN3030LSS-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN3030LSS-13 Price
  • DMN3030LSS-13 Distributor

DMN3030LSS-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds741pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SOP
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTMFS4982NFT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26.5A (Ta), 207A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

FQB8N25TM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.13W (Ta), 87W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI8812DB-T2-E1

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 8V

Vgs (Max)

±5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

4-Microfoot

Paket / Fall

4-UFBGA

IXFT24N90P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

660W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1847pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

74W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

Kürzlich verkauft

TSV992IQ2T

TSV992IQ2T

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DFN

IR2110STRPBF

IR2110STRPBF

Infineon Technologies

IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC

SHT30-ARP-B

SHT30-ARP-B

Sensirion AG

SENSOR HUMID/TEMP 5V ANLG 3% SMD

KSR223GLFG

KSR223GLFG

C&K

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.01A 32V

CS5173EDR8G

CS5173EDR8G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 1.5A 8SOIC

7914J-1-032

7914J-1-032

Bourns

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.1A 16V

744272221

744272221

Wurth Electronics

CMC 220UH 2.2A 2LN 780 OHM SMD

IRF3205ZPBF

IRF3205ZPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

MAX912ESE+

MAX912ESE+

Maxim Integrated

IC COMPARATOR LP 16-SOIC

APE30024

APE30024

Panasonic Electric Works

RELAY GEN PURPOSE SPDT 6A 24V

1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

XU208-128-TQ64-C10

XU208-128-TQ64-C10

XMOS

IC MCU 32BIT ROMLESS 64TQFP