DMN2990UFB-7B
Nur als Referenz
| Teilenummer | DMN2990UFB-7B |
| PNEDA Teilenummer | DMN2990UFB-7B |
| Beschreibung | MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006- |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.546 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 26 - Mär 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DMN2990UFB-7B Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | DMN2990UFB-7B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- DMN2990UFB-7B Datasheet
- where to find DMN2990UFB-7B
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated DMN2990UFB-7B
- DMN2990UFB-7B PDF Datasheet
- DMN2990UFB-7B Stock
- DMN2990UFB-7B Pinout
- Datasheet DMN2990UFB-7B
- DMN2990UFB-7B Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- DMN2990UFB-7B Price
- DMN2990UFB-7B Distributor
DMN2990UFB-7B Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 780mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 990mOhm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250A |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.41nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 31pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 520mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | X1-DFN1006-3 |
| Paket / Fall | 3-UFDFN |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1995pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOIC Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ CE FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 600mA, 13V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 124pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 33W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.8A (Ta), 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 65W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.3A (Ta), 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 12µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 810pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 29W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-1 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
