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DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN2450UFD-7
PNEDA Teilenummer DMN2450UFD-7
Beschreibung MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.802
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 26 - Mär 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DMN2450UFD-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN2450UFD-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMN2450UFD-7, DMN2450UFD-7 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 406,9 KB)
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DMN2450UFD-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.900mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds52pF @ 16V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)400mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketX1-DFN1212-3
Paket / Fall3-UDFN

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IPD60R180P7SE8228AUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 280µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1081pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

72W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AOY2N60

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

295pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

57W (Tc)

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-251

Paket / Fall

TO-251-3 Stub Leads, IPak

NTJS4405NT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

630mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

2N7002L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

115mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1091pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3-11

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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MAX3100CEE+T

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