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DMN2230UQ-13

DMN2230UQ-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMN2230UQ-13
PNEDA Teilenummer DMN2230UQ-13
Beschreibung MOSFET NCH 20V 2A SOT23
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.730
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Voraussichtliche Lieferung Feb 26 - Mär 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DMN2230UQ-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN2230UQ-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMN2230UQ-13, DMN2230UQ-13 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 369,41 KB)
PDFDMN2230UQ-13 Datenblatt Cover
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DMN2230UQ-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 10V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds188pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)600mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 15.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 760µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2721pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

156W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

RDN120N25FU6

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1224pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FN

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

STW17N62K3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH3™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

620V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

190W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

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Hersteller

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Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

490mW (Ta), 6.25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

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