Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMN2100UDM-7

DMN2100UDM-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN2100UDM-7
PNEDA Teilenummer DMN2100UDM-7
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.434
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN2100UDM-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN2100UDM-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMN2100UDM-7, DMN2100UDM-7 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 201,62 KB)
PDFDMN2100UDM-7 Datenblatt Cover
DMN2100UDM-7 Datenblatt Seite 2 DMN2100UDM-7 Datenblatt Seite 3 DMN2100UDM-7 Datenblatt Seite 4 DMN2100UDM-7 Datenblatt Seite 5 DMN2100UDM-7 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMN2100UDM-7 Datasheet
  • where to find DMN2100UDM-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN2100UDM-7
  • DMN2100UDM-7 PDF Datasheet
  • DMN2100UDM-7 Stock

  • DMN2100UDM-7 Pinout
  • Datasheet DMN2100UDM-7
  • DMN2100UDM-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN2100UDM-7 Price
  • DMN2100UDM-7 Distributor

DMN2100UDM-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds555pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-26
Paket / FallSOT-23-6

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTD20N06T4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1015pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.88W (Ta), 60W (Tj)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTD4806N-35G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.3A (Ta), 79A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2142pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.4W (Ta), 68W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Stub Leads, IPak

SPB17N80C3ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

177nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

227W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHFR9120-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

UPA1902TE-T1-A

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

Kürzlich verkauft

TL074ID

TL074ID

STMicroelectronics

IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SO

ADM3202ARNZ-REEL

ADM3202ARNZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

AD5421BREZ

AD5421BREZ

Analog Devices

IC DAC 16BIT V-OUT 28TSSOP

HOA2003-001

HOA2003-001

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR OPTICAL 2.54MM MOD SLOT

T491X476K035AT

T491X476K035AT

KEMET

CAP TANT 47UF 10% 35V 2917

TL1014BF160QG

TL1014BF160QG

E-Switch

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

ADF4001BRUZ

ADF4001BRUZ

Analog Devices

IC CLOCK GEN PLL 16-TSSOP

BAT20JFILM

BAT20JFILM

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 23V 1A SOD323

MMBT2369LT1G

MMBT2369LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 15V 0.2A SOT23

1.5KE200CA

1.5KE200CA

STMicroelectronics

TVS DIODE 171V 353V DO201

AO3407A

AO3407A

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23

US6K1TR

US6K1TR

Rohm Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6