DMN10H220LQ-13
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| Teilenummer | DMN10H220LQ-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMN10H220LQ-13 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.694 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMN10H220LQ-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN10H220LQ-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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DMN10H220LQ-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 1.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 401pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.3W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 515pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 700mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad |
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