DMHT3006LFJ-13
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| Teilenummer | DMHT3006LFJ-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMHT3006LFJ-13 |
| Beschreibung | MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN5045- |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.308 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMHT3006LFJ-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMHT3006LFJ-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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DMHT3006LFJ-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 13A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1171pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.3W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 12-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | V-DFN5045-12 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
