DMG7N65SCTI
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Teilenummer | DMG7N65SCTI |
PNEDA Teilenummer | DMG7N65SCTI |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB |
Hersteller | Diodes Incorporated |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.204 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMG7N65SCTI Ressourcen
Marke | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | DMG7N65SCTI |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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DMG7N65SCTI Technische Daten
Hersteller | Diodes Incorporated |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 886pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 28W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | ITO-220AB |
Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
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