DMG5802LFX-7
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| Teilenummer | DMG5802LFX-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMG5802LFX-7 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.030 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMG5802LFX-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMG5802LFX-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMG5802LFX-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31.3nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1066.4pF @ 15V |
| Leistung - max | 980mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | W-DFN5020-6 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 752pF @ 15V Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type B) |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A, 26.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1560pF @ 15V Leistung - max 2W, 2.2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate, 1.2V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.34nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 36pF @ 10V Leistung - max 250mW Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket ES6 |
