DMG4N60SK3-13
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| Teilenummer | DMG4N60SK3-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMG4N60SK3-13 |
| Beschreibung | MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T& |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.282 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMG4N60SK3-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMG4N60SK3-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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DMG4N60SK3-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 532pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 48W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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