DMC562000R
Nur als Referenz
| Teilenummer | DMC562000R |
| PNEDA Teilenummer | DMC562000R |
| Beschreibung | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5 |
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.436 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMC562000R Ressourcen
| Marke | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMC562000R |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
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DMC562000R Technische Daten
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 47kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung - max | 150mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 5-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | SMini5-F3-B |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 300mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket SM6 |
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