DMC1016UPD-13
Nur als Referenz
| Teilenummer | DMC1016UPD-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMC1016UPD-13 |
| Beschreibung | MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.490 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMC1016UPD-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMC1016UPD-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMC1016UPD-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V, 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.5A, 8.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1454pF @ 6V |
| Leistung - max | 2.3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI5060-8 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2940pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1390pF @ 10V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 20mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ 2 N-Channel (Dual), Schottky FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V, 200nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Leistung - max 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-PowerPair® (6x5) |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 30V Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
