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DMA201010R

DMA201010R

Nur als Referenz

Teilenummer DMA201010R
PNEDA Teilenummer DMA201010R
Beschreibung TRANS 2PNP 50V 0.1A MINI5
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 100.632
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DMA201010R Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMA201010R
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
DMA201010R, DMA201010R Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 666,65 KB)
PDFDMA201010R Datenblatt Cover
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DMA201010R Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
Transistortyp2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce210 @ 2mA, 10V
Leistung - max300mW
Frequenz - Übergang150MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-74A, SOT-753
LieferantengerätepaketMini5-G3-B

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 400mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

400 @ 200mA, 2V

Leistung - max

2.75W

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-223-8

Lieferantengerätepaket

SM8

HN4B01JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP (Emitter Coupled)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 10MA, 100MA

Leistung - max

100mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-553

Lieferantengerätepaket

ESV

BC856S/ZLH

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

2N2652A

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 1mA, 5V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

60MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

ZXTC6720MCTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.5A, 2.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V, 70V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V

Leistung - max

1.7W

Frequenz - Übergang

160MHz, 180MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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