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DH2X61-16A

DH2X61-16A

Nur als Referenz

Teilenummer DH2X61-16A
PNEDA Teilenummer DH2X61-16A
Beschreibung DIODE MODULE 1.6KV 60A SOT227B
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.808
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DH2X61-16A Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDH2X61-16A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
DH2X61-16A, DH2X61-16A Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 466,12 KB)
PDFDH2X61-16A Datenblatt Cover
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DH2X61-16A Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)60A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2.01V @ 60A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)230ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr200µA @ 1600V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227B

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Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

16800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

1.7A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

12V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 16800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

MSRTA60060(A)

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

600A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 600A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Three Tower

Lieferantengerätepaket

Three Tower

MBR600100CT

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

300A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 300A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Twin Tower

CPT400100

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

890mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

990mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

6mA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

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