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DG9252EN-T1-E4

DG9252EN-T1-E4

Nur als Referenz

Teilenummer DG9252EN-T1-E4
PNEDA Teilenummer DG9252EN-T1-E4
Beschreibung IC MULTIPLEXER DUAL 4CH 16QFN
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 8.622
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DG9252EN-T1-E4 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDG9252EN-T1-E4
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
DG9252EN-T1-E4, DG9252EN-T1-E4 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 296,64 KB)
PDFDG9251EN-T1-E4 Datenblatt Cover
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DG9252EN-T1-E4 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
SchaltkreisSP4T
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung4:1
Anzahl der Schaltkreise2
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)182Ohm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)3.1Ohm
Spannung - Versorgung, einfach (V +)2.7V ~ 16V
Spannungsversorgung, Dual (V ±)±2.7V ~ 5V
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)250ns, 125ns
-3db Bandbreite449MHz
Ladungsinjektion4.1pC
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))2.2pF, 6.6pF
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)1nA
Übersprechen-67dB @ 10MHz
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
Paket / Fall16-WFQFN
Lieferantengerätepaket16-miniQFN (1.8x2.6)

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Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

25Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

200mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2.7V ~ 11V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±2.7V ~ 5.5V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

125ns, 80ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

25pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

8pF, 8pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

500pA

Übersprechen

-87dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Schaltkreis

DPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

350mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

2mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.6V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

300µs, 30µs

-3db Bandbreite

100MHz

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

4pF, 4pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1µA

Übersprechen

-100dB @ 100kHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Paket / Fall

9-WFBGA, WLBGA

Lieferantengerätepaket

9-WLP (1.6x1.6)

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO/NC

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

100Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

1Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 12V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±2V ~ 6V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

80ns, 30ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

1pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

2pF, 2pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-90dB @ 100kHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO/NC

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

1.6Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

200mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2.7V ~ 11V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±2.7V ~ 5.5V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

350ns, 150ns

-3db Bandbreite

66MHz

Ladungsinjektion

85pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

85pF, 85pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-84dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

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Schaltkreis

SPST - NC

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

25Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

200mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2.7V ~ 11V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

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