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DG508ACJ

DG508ACJ

Nur als Referenz

Teilenummer DG508ACJ
PNEDA Teilenummer DG508ACJ_1E7
Beschreibung IC MULTIPLEXER 8X1 16DIP
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 25.373
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DG508ACJ Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDG508ACJ
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
DG508ACJ, DG508ACJ Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 566,91 KB)
PDFDG508ACJZ Datenblatt Cover
DG508ACJZ Datenblatt Seite 2 DG508ACJZ Datenblatt Seite 3 DG508ACJZ Datenblatt Seite 4 DG508ACJZ Datenblatt Seite 5 DG508ACJZ Datenblatt Seite 6 DG508ACJZ Datenblatt Seite 7 DG508ACJZ Datenblatt Seite 8 DG508ACJZ Datenblatt Seite 9

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DG508ACJ Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Schaltkreis-
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung8:1
Anzahl der Schaltkreise1
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)400Ohm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)24Ohm
Spannung - Versorgung, einfach (V +)-
Spannungsversorgung, Dual (V ±)±15V
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)1.5µs, 1µs
-3db Bandbreite-
Ladungsinjektion4pC
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))5pF, 25pF
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)1nA
Übersprechen-
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
Paket / Fall16-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket16-PDIP

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Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

35Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

800mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2.5V ~ 16 V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

75ns, 50ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

1pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

9pF, 9pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100pA

Übersprechen

-85dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MC74HC4852AN

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

SP4T

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

4:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

400Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

-

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

40pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-DIP

DG403DY-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO/NC

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

45Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

3Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

5V ~ 34V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±5V ~ 17V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

150ns, 100ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

60pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

12pF, 12pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

500pA

Übersprechen

-90dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Schaltkreis

-

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

8:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

75Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

1Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 12V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±2V ~ 6V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

150ns, 100ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

1.5pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

3pF, 15pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-92dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Paket / Fall

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Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

45Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

-

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±15V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

150ns, 100ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

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