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DG506BEQ-T1-GE3

DG506BEQ-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer DG506BEQ-T1-GE3
PNEDA Teilenummer DG506BEQ-T1-GE3
Beschreibung IC MUX ANA DUAL 16/8CH 28TSSOP
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 5.328
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DG506BEQ-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDG506BEQ-T1-GE3
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
DG506BEQ-T1-GE3, DG506BEQ-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 292,61 KB)
PDFDG506BEN-T1-GE3 Datenblatt Cover
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DG506BEQ-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
Schaltkreis-
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung16:1
Anzahl der Schaltkreise1
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)300Ohm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)10Ohm
Spannung - Versorgung, einfach (V +)12V
Spannungsversorgung, Dual (V ±)±5V ~ 20V
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)250ns, 200ns
-3db Bandbreite114MHz
Ladungsinjektion1pC
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))3pF, 13pF
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)1nA
Übersprechen-85dB @ 1MHz
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
Paket / Fall28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket28-TSSOP

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Hersteller

Analog Devices Inc.

Serie

-

Schaltkreis

-

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

8:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

4.5Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2.7V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

95ns, 85ns (Typ)

-3db Bandbreite

65MHz

Ladungsinjektion

3pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

13pF, 85pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100pA

Übersprechen

-75dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-TSSOP

HI-8192PSTF

Holt Integrated Circuits Inc.

Hersteller

Holt Integrated Circuits Inc.

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO/NC

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

17Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

3.3V ~ 15V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±3.3V ~ 15V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

35ns, 20ns (Typ)

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

4pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

5pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

5nA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

ISL43L840IR

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Schaltkreis

SP4T

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

4:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

750mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

120mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.6V ~ 3.6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

-

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

-96pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

62pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

4nA

Übersprechen

-100dB @ 100kHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-VFQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

16-QFN (3x3)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

450mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.4V ~ 4.3V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

28ns, 20ns

-3db Bandbreite

25MHz

Ladungsinjektion

12pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

70pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

10nA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

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Schaltkreis

SPST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

30Ohm (Typ)

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

31ns, 34ns

-3db Bandbreite

30MHz

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

0.5pF, 9pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

-45dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

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