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DG419DY-T1-E3

DG419DY-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer DG419DY-T1-E3
PNEDA Teilenummer DG419DY-T1-E3
Beschreibung IC ANALOG SWITCH CMOS 8SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DG419DY-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDG419DY-T1-E3
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
DG419DY-T1-E3, DG419DY-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 225,18 KB)
PDFDG419DY-T1 Datenblatt Cover
DG419DY-T1 Datenblatt Seite 2 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 3 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 4 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 5 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 6 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 7 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 8 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 9 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 10 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 11

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DG419DY-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
SchaltkreisSPDT
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung2:1
Anzahl der Schaltkreise1
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)35Ohm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)-
Spannung - Versorgung, einfach (V +)12V
Spannungsversorgung, Dual (V ±)±15V
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)175ns, 145ns
-3db Bandbreite-
Ladungsinjektion60pC
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))8pF, 8pF
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)250pA
Übersprechen-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Schaltkreis

-

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1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

1.5kOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

-

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±5V ~ 22V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

200ns, 250ns (Typ)

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

5pF, 25pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

500pA (Typ)

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

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ON Semiconductor

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-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

25Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

2Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

14ns, 8ns

-3db Bandbreite

200MHz

Ladungsinjektion

3pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

10pF, 10pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Maxim Integrated

Serie

-

Schaltkreis

-

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

-

Anzahl der Schaltkreise

-

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

-

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

-

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

-

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

-

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

-

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

650mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

40mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.65V ~ 3.6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

26ns, 7ns

-3db Bandbreite

57MHz

Ladungsinjektion

40pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

25pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

200pA (Typ)

Übersprechen

-90dB @ 100kHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

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Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

115Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

600mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

3V ~ 12V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±3V ~ 5V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

50ns, 35ns

-3db Bandbreite

1GHz

Ladungsinjektion

1.4pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

3pF, 3pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100pA

Übersprechen

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