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DG333ADQ-T1-E3

DG333ADQ-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer DG333ADQ-T1-E3
PNEDA Teilenummer DG333ADQ-T1-E3
Beschreibung IC SWITCH QUAD SPDT 20TSSOP
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 2.196
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DG333ADQ-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDG333ADQ-T1-E3
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
DG333ADQ-T1-E3, DG333ADQ-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 155,25 KB)
PDFDG333ALDW Datenblatt Cover
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DG333ADQ-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
SchaltkreisSPDT
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung2:1
Anzahl der Schaltkreise1
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)45Ohm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)2Ohm (Max)
Spannung - Versorgung, einfach (V +)5V ~ 40V
Spannungsversorgung, Dual (V ±)±4V ~ 22V
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)175ns, 145ns
-3db Bandbreite-
Ladungsinjektion10pC
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))8pF
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)250pA
Übersprechen-80dB @ 1MHz
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
Paket / Fall20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket20-TSSOP

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Maxim Integrated

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NC

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

35Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

3Ohm (Max)

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

10V ~ 30V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±4.5V ~ 20V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

175ns, 145ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

3pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

8pF, 8pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

250pA

Übersprechen

-85dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

QS33X257Q1G

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Schaltkreis

-

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

8:4

Anzahl der Schaltkreise

3

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

15Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

5.2ns, 4.8ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

10pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1µA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

48-FSOP (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-QSOP

ADG5423BRMZ-RL7

Analog Devices

Hersteller

Analog Devices Inc.

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

14Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

100mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

9V ~ 40V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±9V ~ 22V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

199ns, 184ns

-3db Bandbreite

250MHz

Ladungsinjektion

120pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

11pF, 12pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

250pA

Übersprechen

-85dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

10-MSOP

HI4P0546-5

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Schaltkreis

-

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

16:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

1.8kOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

126Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

-

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±15V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

300ns, 300ns (Typ)

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

10pF, 52pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

30pA (Typ)

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

0°C ~ 75°C (TA)

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Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

2.5Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

100mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

4.5V ~ 36V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±4.5V ~ 20V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

250ns, 350ns

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-

Ladungsinjektion

120pC

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55pF, 55pF

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