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DG2535EDN-T1-GE4

DG2535EDN-T1-GE4

Nur als Referenz

Teilenummer DG2535EDN-T1-GE4
PNEDA Teilenummer DG2535EDN-T1-GE4
Beschreibung IC ANALOG SWITCH DUAL 10QFN
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 5.076
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DG2535EDN-T1-GE4 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDG2535EDN-T1-GE4
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
DG2535EDN-T1-GE4, DG2535EDN-T1-GE4 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 162,46 KB)
PDFDG2733EDQ-T1-GE3 Datenblatt Cover
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DG2535EDN-T1-GE4 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
SchaltkreisSPDT
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung2:1
Anzahl der Schaltkreise2
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)500mOhm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)60mOhm
Spannung - Versorgung, einfach (V +)1.65V ~ 5.5V
Spannungsversorgung, Dual (V ±)-
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)78ns, 58ns
-3db Bandbreite120MHz
Ladungsinjektion-
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))-
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)-
Übersprechen-90dB @ 100kHz
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
Paket / Fall10-VFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket10-DFN (3x3)

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

10Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

300mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

4.5V ~ 36V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±4.5V ~ 20V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

225ns, 185ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

20pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

15pF, 15pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

500pA

Übersprechen

-85dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Paket / Fall

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-TSSOP

DG413DY-T

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO/NC

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

35Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

5V ~ 44V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±5V ~ 20V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

175ns, 145ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

5pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

9pF, 9pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100pA

Übersprechen

-85dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

DG2307DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

12Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

320mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

2.6ns, 2.6ns

-3db Bandbreite

250MHz

Ladungsinjektion

7pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

6.5pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

-58.7dB @ 10MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6

ISL54060IRTZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

520mOhm (Typ)

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

10mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 6.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

35ns, 10ns

-3db Bandbreite

60MHz

Ladungsinjektion

170pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

36pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

8.13nA

Übersprechen

-75dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

10-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

4:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

450Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

22.5Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

10.8V ~ 16.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±10.8V ~ 16.5V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

300ns, 300ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

4pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

5pF, 11pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

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