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DG2525DN-T1-GE4

DG2525DN-T1-GE4

Nur als Referenz

Teilenummer DG2525DN-T1-GE4
PNEDA Teilenummer DG2525DN-T1-GE4
Beschreibung IC SWITCH DUAL DPDT 16-MINIQFN
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 8.172
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DG2525DN-T1-GE4 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDG2525DN-T1-GE4
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
DG2525DN-T1-GE4, DG2525DN-T1-GE4 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 175,96 KB)
PDFDG2525DN-T1-GE4 Datenblatt Cover
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DG2525DN-T1-GE4 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
SchaltkreisDPDT
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung2:2
Anzahl der Schaltkreise2
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)500mOhm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)50mOhm
Spannung - Versorgung, einfach (V +)1.8V ~ 5.5V
Spannungsversorgung, Dual (V ±)-
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)60µs, 1µs
-3db Bandbreite310MHz
Ladungsinjektion-19pC
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))-
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)1nA
Übersprechen-61dB @ 1MHz
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
Paket / Fall16-UFQFN
Lieferantengerätepaket16-miniQFN (1.8x2.6)

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Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

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Spannungsversorgung, Dual (V ±)

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Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

35ns, 20ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

4pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

5pF, 20pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

5nA (Max)

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

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2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

950mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

100mOhm (Max)

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

560ns, 450ns

-3db Bandbreite

25MHz

Ladungsinjektion

550pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

90pF, 90pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

-

Übersprechen

-75dB @ 100kHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Paket / Fall

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Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

195Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

3Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

39ns, 78ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

10pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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16-TSSOP

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Schaltkreis

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Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

25Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

200mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 11V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

85ns, 45ns

-3db Bandbreite

300MHz

Ladungsinjektion

7.5pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

20pF, 20pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100pA

Übersprechen

-108dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

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-

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

-

Anzahl der Schaltkreise

-

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

-

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

-

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

-

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

-

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-

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