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DG213DY-E3

DG213DY-E3

Nur als Referenz

Teilenummer DG213DY-E3
PNEDA Teilenummer DG213DY-E3
Beschreibung IC SWITCH QUAD CMOS 16SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 11.388
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DG213DY-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDG213DY-E3
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
DG213DY-E3, DG213DY-E3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 256,79 KB)
PDFDG213DJ-E3 Datenblatt Cover
DG213DJ-E3 Datenblatt Seite 2 DG213DJ-E3 Datenblatt Seite 3 DG213DJ-E3 Datenblatt Seite 4 DG213DJ-E3 Datenblatt Seite 5 DG213DJ-E3 Datenblatt Seite 6 DG213DJ-E3 Datenblatt Seite 7 DG213DJ-E3 Datenblatt Seite 8 DG213DJ-E3 Datenblatt Seite 9 DG213DJ-E3 Datenblatt Seite 10 DG213DJ-E3 Datenblatt Seite 11

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DG213DY-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
SchaltkreisSPST - NO/NC
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung1:1
Anzahl der Schaltkreise4
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)60Ohm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)1Ohm
Spannung - Versorgung, einfach (V +)3V ~ 40V
Spannungsversorgung, Dual (V ±)±3V ~ 22V
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)130ns, 100ns
-3db Bandbreite-
Ladungsinjektion1pC
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))5pF, 5pF
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)500pA
Übersprechen-95dB @ 100kHz
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
Paket / Fall16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Schaltkreis

-

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2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

5Ohm (Typ)

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

150mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

-

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

14ns, 5ns (Typ)

-3db Bandbreite

125MHz

Ladungsinjektion

9pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

13pF, 38pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

75nA (Typ)

Übersprechen

-62dB ~ -42dB @ 1MHz ~ 10MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

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Maxim Integrated

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

60Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

800mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2.7V ~ 12V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

100ns, 75ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

1pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

8pF, 8pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100pA

Übersprechen

-90dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-uMAX

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NC

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

85Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

4Ohm (Max)

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

10V ~ 30V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±4.5V ~ 20V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

250ns, 140ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

5pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

4pF, 4pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

500pA

Übersprechen

-100dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO

DG4157DL-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

1.2Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

120mOhm (Max)

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.65V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

37ns, 23ns

-3db Bandbreite

117MHz

Ladungsinjektion

50pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

20pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

2nA

Übersprechen

-63dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

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Schaltkreis

-

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4:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

170Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

2.4Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

10V ~ 36V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±5V ~ 18V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

136ns, 75ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

0.3pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

2.4pF, 4.3pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

40pA

Übersprechen

-96dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

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