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DG212BDQ-E3

DG212BDQ-E3

Nur als Referenz

Teilenummer DG212BDQ-E3
PNEDA Teilenummer DG212BDQ-E3
Beschreibung IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
Hersteller Vishay Siliconix
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DG212BDQ-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDG212BDQ-E3
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
DG212BDQ-E3, DG212BDQ-E3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 234,37 KB)
PDFDG212BDQ-E3 Datenblatt Cover
DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 2 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 3 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 4 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 5 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 6 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 7 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 8 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 9 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 10 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 11

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DG212BDQ-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
SchaltkreisSPST - NO
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung1:1
Anzahl der Schaltkreise4
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)85Ohm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)2Ohm
Spannung - Versorgung, einfach (V +)4.5V ~ 25V
Spannungsversorgung, Dual (V ±)±4.5V ~ 22V
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)300ns, 200ns
-3db Bandbreite-
Ladungsinjektion1pC
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))5pF, 5pF
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)500pA
Übersprechen-95dB @ 100kHz
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
Paket / Fall16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket16-TSSOP

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Hersteller

Serie

-

Schaltkreis

-

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

8:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

75Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

1.3Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

14ns, 14ns

-3db Bandbreite

35MHz

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

0.5pF, 23.4pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO/NC

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

1.5Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

40mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

4.5V ~ 24V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±4.5V ~ 15V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

140ns, 110ns

-3db Bandbreite

150MHz

Ladungsinjektion

-41pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

24pF, 23pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

500pA

Übersprechen

-104dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-TSSOP

74VHC4052MTCX

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

SP4T

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

4:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

100Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

10Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±1V ~ 6V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

41ns, 32ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

5pF, 45pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

-50dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-TSSOP

74LVC1G384GM,132

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NC

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

10Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.65V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

4.2ns, 5ns

-3db Bandbreite

500MHz

Ladungsinjektion

7.5pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

5pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

5µA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

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Hersteller

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Schaltkreis

SPST - NO/NC

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

800mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

50mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.6V ~ 3.6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

24ns, 16ns

-3db Bandbreite

100MHz

Ladungsinjektion

28pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

32pF, 32pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-110dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

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Paket / Fall

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