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DG211BDY-E3

DG211BDY-E3

Nur als Referenz

Teilenummer DG211BDY-E3
PNEDA Teilenummer DG211BDY-E3
Beschreibung IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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DG211BDY-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDG211BDY-E3
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
DG211BDY-E3, DG211BDY-E3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 234,37 KB)
PDFDG212BDQ-E3 Datenblatt Cover
DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 2 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 3 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 4 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 5 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 6 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 7 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 8 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 9 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 10 DG212BDQ-E3 Datenblatt Seite 11

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DG211BDY-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
SchaltkreisSPST - NC
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung1:1
Anzahl der Schaltkreise4
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)85Ohm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)2Ohm
Spannung - Versorgung, einfach (V +)4.5V ~ 25V
Spannungsversorgung, Dual (V ±)±4.5V ~ 22V
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)300ns, 200ns
-3db Bandbreite-
Ladungsinjektion1pC
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))5pF, 5pF
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)500pA
Übersprechen-95dB @ 100kHz
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
Paket / Fall16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Hersteller

Analog Devices Inc.

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

3Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

12ns, 8ns (Typ)

-3db Bandbreite

200MHz

Ladungsinjektion

5pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

17pF, 17pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

250pA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Analog Devices

Hersteller

Analog Devices Inc.

Serie

-

Schaltkreis

SP4T

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

4:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

4.5Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

120mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

3.3V ~ 16V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±3.3V ~ 8V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

94ns, 93ns

-3db Bandbreite

78MHz

Ladungsinjektion

29pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

19pF, 59pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100pA

Übersprechen

-64dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-TSSOP

PS383ESE

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

30Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

200mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

3V ~ 15V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±3V ~ 8V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

130ns, 75ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

2pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

12pF, 12pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100pA

Übersprechen

-90dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

STG3820BJR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Schaltkreis

DPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:2

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

5.8Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

300mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.65V ~ 4.3V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

15ns, 13ns

-3db Bandbreite

800MHz

Ladungsinjektion

6.4pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

2pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

20nA

Übersprechen

-78dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

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Schaltkreis

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Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

190Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

2.5Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

5V ~ 16.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±4.5V ~ 16.5V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

130ns, 115ns

-3db Bandbreite

1GHz

Ladungsinjektion

-0.3pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

1.1pF, 1.2pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100pA

Übersprechen

-90dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

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