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DF80R12W2H3_B11

DF80R12W2H3_B11

Nur als Referenz

Teilenummer DF80R12W2H3_B11
PNEDA Teilenummer DF80R12W2H3_B11
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 160A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.236
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 10 - Jan 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DF80R12W2H3_B11 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDF80R12W2H3_B11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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DF80R12W2H3_B11 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
IGBT-Typ-
Konfiguration-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
Eingabe-
NTC-Thermistor-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FP40R12KT3GBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Leistung - max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 401A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

CM150DU-24H

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

890W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

22nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGFQ25H120T2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT and Fieldstop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

227W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.02nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SP2

Lieferantengerätepaket

SP2

FD1400R12IP4DBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1400A

Leistung - max

7700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 1400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

82nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT75GT120JU3

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

416W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.34nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

SOT-227

Kürzlich verkauft

NPT1012B

NPT1012B

M/A-Com Technology Solutions

HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ

MCP79410T-I/MS

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Microchip Technology

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-MSOP

744066101

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Wurth Electronics

FIXED IND 100UH 1.2A 300 MOHM

S3A-13-F

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Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

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ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 3.6V SC70-5

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Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 4/5 28SSOP

FGH75T65UPD

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ON Semiconductor

IGBT 650V 150A 375W TO-247AB

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Rohm Semiconductor

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MAX9100EUK+T

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Maxim Integrated

IC COMPARATOR R-R SOT23-5

SMBJ28CA

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Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

GS-R424

GS-R424

STMicroelectronics

DC DC CONVERTER 24V 4A

SMBJ36CA-13-F

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TVS DIODE 36V 58.1V SMB