DF80R12W2H3_B11
Nur als Referenz
| Teilenummer | DF80R12W2H3_B11 |
| PNEDA Teilenummer | DF80R12W2H3_B11 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 160A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.236 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 2 - Apr 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DF80R12W2H3_B11 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DF80R12W2H3_B11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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DF80R12W2H3_B11 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Leistung - max | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
| Eingabe | - |
| NTC-Thermistor | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT and Fieldstop Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Leistung - max 227W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.02nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall SP2 Lieferantengerätepaket SP2 |
