DF2B6.8M1ACT,L3F
Nur als Referenz
| Teilenummer | DF2B6.8M1ACT,L3F |
| PNEDA Teilenummer | DF2B6-8M1ACT-L3F |
| Beschreibung | TVS DIODE 5V 20V CST2 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.514 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DF2B6.8M1ACT Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DF2B6.8M1ACT,L3F |
| Kategorie | Leistung › Schaltungsschutz › TVS - Dioden |
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DF2B6.8M1ACT Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Typ | Zener |
| Unidirektionale Kanäle | - |
| Bidirektionale Kanäle | 1 |
| Spannung - Rückwärtsabstand (Typ) | 5V (Max) |
| Spannungsausfall (min) | 6V |
| Spannungsklemmung (max.) @ Ipp | 20V |
| Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 2.5A (8/20µs) |
| Leistung - Spitzenimpuls | 50W |
| Stromleitungsschutz | No |
| Anwendungen | General Purpose |
| Kapazität @ Frequenz | 0.3pF @ 1MHz |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOD-882 |
| Lieferantengerätepaket | CST2 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Typ - Unidirektionale Kanäle - Bidirektionale Kanäle - Spannung - Rückwärtsabstand (Typ) - Spannungsausfall (min) - Spannungsklemmung (max.) @ Ipp - Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) - Leistung - Spitzenimpuls - Stromleitungsschutz - Anwendungen - Kapazität @ Frequenz - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
