DF200R12W1H3FB11BPSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | DF200R12W1H3FB11BPSA1 |
| PNEDA Teilenummer | DF200R12W1H3FB11BPSA1 |
| Beschreibung | MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.316 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DF200R12W1H3FB11BPSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DF200R12W1H3FB11BPSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
DF200R12W1H3FB11BPSA1, DF200R12W1H3FB11BPSA1 Datenblatt
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DF200R12W1H3FB11BPSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Leistung - max | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
| Eingabe | - |
| NTC-Thermistor | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Leistung - max 357W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.34nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
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