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DF160R12W2H3FB11BPSA1

DF160R12W2H3FB11BPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer DF160R12W2H3FB11BPSA1
PNEDA Teilenummer DF160R12W2H3FB11BPSA1
Beschreibung MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.766
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DF160R12W2H3FB11BPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDF160R12W2H3FB11BPSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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DF160R12W2H3FB11BPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieEconoPACK™2
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Leistung - max20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 20A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce2.35nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Dual, Common Source

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

CM1200HA-24J

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1200A

Leistung - max

5800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 1200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

6mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

200nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGFQ25H120T2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT and Fieldstop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

227W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.02nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SP2

Lieferantengerätepaket

SP2

FZ500R65KE3NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1000A

Leistung - max

2000000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 500A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

135nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-50°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGLQ600A65T6G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1200A

Leistung - max

2000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

600µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

36.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

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