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DF1000R17IE4BOSA1

DF1000R17IE4BOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer DF1000R17IE4BOSA1
PNEDA Teilenummer DF1000R17IE4BOSA1
Beschreibung IGBT MODULE 1700V 1000A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.448
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DF1000R17IE4BOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDF1000R17IE4BOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
DF1000R17IE4BOSA1, DF1000R17IE4BOSA1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 571,02 KB)
PDFDF1000R17IE4BOSA1 Datenblatt Cover
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DF1000R17IE4BOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max6250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 1000A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce81nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

113A

Leistung - max

450W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

800µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.6nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E3

Lieferantengerätepaket

E3

IFF2400P17LE4BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 65°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT75TA60PG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6-P

FMG2G50US120

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

320W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

7PM-GA

Lieferantengerätepaket

7PM-GA

IRG7T100HF12A

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

575W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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