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DDTD123TU-7-F

DDTD123TU-7-F

Nur als Referenz

Teilenummer DDTD123TU-7-F
PNEDA Teilenummer DDTD123TU-7-F
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 3.312
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DDTD123TU-7-F Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDDTD123TU-7-F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
DDTD123TU-7-F, DDTD123TU-7-F Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 109,71 KB)
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DDTD123TU-7-F Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang200MHz
Leistung - max200mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

1 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

3 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

260mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

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SOT-723

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

50mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

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DRA5124T0L

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

254mW

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