DDTC114TUA-7-F
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| Teilenummer | DDTC114TUA-7-F |
| PNEDA Teilenummer | DDTC114TUA-7-F |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 140.916 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 25 - Mär 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DDTC114TUA-7-F Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DDTC114TUA-7-F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
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DDTC114TUA-7-F Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung - max | 200mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-323 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-723 Lieferantengerätepaket VMT3 |
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