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DD200S33K2CNOSA1

DD200S33K2CNOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer DD200S33K2CNOSA1
PNEDA Teilenummer DD200S33K2CNOSA1
Beschreibung RECTIFIER DIODE MOD 3300V 200A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.356
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DD200S33K2CNOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDD200S33K2CNOSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
DD200S33K2CNOSA1, DD200S33K2CNOSA1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 218,97 KB)
PDFDD200S33K2CNOSA1 Datenblatt Cover
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DD200S33K2CNOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Diodenkonfiguration-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)3300V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If3.5V @ 200A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr270A @ 1800V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketA-IHV73-3

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

470mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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D2PAK

MUR1640CT

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.30V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

SS8P6C-M3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

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TO-277, 3-PowerDFN

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Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 50V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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