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DD171N12KAHPSA1

DD171N12KAHPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer DD171N12KAHPSA1
PNEDA Teilenummer DD171N12KAHPSA1
Beschreibung DIODE ARRAY MOD 1300V 270A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.956
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DD171N12KAHPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDD171N12KAHPSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
DD171N12KAHPSA1, DD171N12KAHPSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 584,6 KB)
PDFDD171N14KHPSA1 Datenblatt Cover
DD171N14KHPSA1 Datenblatt Seite 2 DD171N14KHPSA1 Datenblatt Seite 3 DD171N14KHPSA1 Datenblatt Seite 4 DD171N14KHPSA1 Datenblatt Seite 5 DD171N14KHPSA1 Datenblatt Seite 6 DD171N14KHPSA1 Datenblatt Seite 7 DD171N14KHPSA1 Datenblatt Seite 8 DD171N14KHPSA1 Datenblatt Seite 9

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DD171N12KAHPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
Diodenkonfiguration-
Diodentyp-
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)-
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
Geschwindigkeit-
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

480mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

810mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

VS-MBR3035WTPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

760mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 35V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

20CJQ100

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

790mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1000V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

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Paket / Fall

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GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 150V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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