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DBLS105G RDG

DBLS105G RDG

Nur als Referenz

Teilenummer DBLS105G RDG
PNEDA Teilenummer DBLS105G-RDG
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBLS
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Stückpreis
1 ---------- $3,4638
250 ---------- $3,3014
500 ---------- $3,1391
1.000 ---------- $2,9767
2.500 ---------- $2,8414
5.000 ---------- $2,7061
Auf Lager 15.790
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DBLS105G RDG Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDBLS105G RDG
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter

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DBLS105G RDG Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)600V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 15A
Strom - Umkehrleckage @ Vr2µA @ 600V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD, Gull Wing
LieferantengerätepaketDBLS

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Three Phase

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800V

Current - Average Rectified (Io)

130A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10mA @ 800V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MTK

Lieferantengerätepaket

MTK

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-Square, BR-6

Lieferantengerätepaket

BR-6

GSIB1540-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

400V

Current - Average Rectified (Io)

3.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 7.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GSIB-5S

Lieferantengerätepaket

GSIB-5S

KBU8M-E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 8A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-ESIP, KBU

Lieferantengerätepaket

KBU

130MT120KB

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Three Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1.2kV

Current - Average Rectified (Io)

130A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10mA @ 1200V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Chassis Mount

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