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DB107G

DB107G

Nur als Referenz

Teilenummer DB107G
PNEDA Teilenummer DB107G
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $3,9031
250 ---------- $3,7201
500 ---------- $3,5372
1.000 ---------- $3,3542
2.500 ---------- $3,2018
5.000 ---------- $3,0493
Auf Lager 3.865
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DB107G Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDB107G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
DB107G, DB107G Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 593,19 KB)
PDFDB107G Datenblatt Cover
DB107G Datenblatt Seite 2 DB107G Datenblatt Seite 3

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DB107G Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)1kV
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 1000V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-EDIP (0.321", 8.15mm)
LieferantengerätepaketDB

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1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

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Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 400V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Single Phase

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Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

400mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 200mA

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Spannung - Peak Reverse (Max)

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Current - Average Rectified (Io)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

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MTK

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 800mA

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Paket / Fall

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