DAP222WMFHTL
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| Teilenummer | DAP222WMFHTL |
| PNEDA Teilenummer | DAP222WMFHTL |
| Beschreibung | SWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 54.138 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 23 - Feb 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DAP222WMFHTL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DAP222WMFHTL |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
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DAP222WMFHTL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100nA @ 70V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 150°C (Max) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-89, SOT-490 |
| Lieferantengerätepaket | EMD3F |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 250A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 920mV @ 250A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3mA @ 200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Series Connection Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 2000V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 100A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.65V @ 330A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 12mA @ 2000V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall POW-R-BLOK™ Module Lieferantengerätepaket POW-R-BLOK™ Module |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 80V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 250A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 840mV @ 250A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 80V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall TO-244AB Lieferantengerätepaket TO-244AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 56A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 112ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 650V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3-AI |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Series Connection Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 70V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 70mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 15mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 70V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
