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DAP222T1

DAP222T1

Nur als Referenz

Teilenummer DAP222T1
PNEDA Teilenummer DAP222T1
Beschreibung DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.634
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DAP222T1 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDAP222T1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
DAP222T1, DAP222T1 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 62,93 KB)
PDFDAP202UG Datenblatt Cover
DAP202UG Datenblatt Seite 2 DAP202UG Datenblatt Seite 3 DAP202UG Datenblatt Seite 4 DAP202UG Datenblatt Seite 5

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DAP222T1 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Anode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)100mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 100mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)10ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100nA @ 70V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-75, SOT-416
LieferantengerätepaketSC-75, SOT-416

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

160A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.2mA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

300A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 150A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 300V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

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-

Diodenkonfiguration

2 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

3ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 80V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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