D1131SH65TXPSA1
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| Teilenummer | D1131SH65TXPSA1 |
| PNEDA Teilenummer | D1131SH65TXPSA1 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 6.5KV 1100A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.444 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 24 - Mär 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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D1131SH65TXPSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | D1131SH65TXPSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
D1131SH65TXPSA1, D1131SH65TXPSA1 Datenblatt
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D1131SH65TXPSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 6500V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1100A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 5.6V @ 2500A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 150mA @ 6500V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | DO-200AE |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 0°C ~ 140°C |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
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