CYD18S72V-100BBI
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| Teilenummer | CYD18S72V-100BBI |
| PNEDA Teilenummer | CYD18S72V-100BBI |
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.950 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CYD18S72V-100BBI Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CYD18S72V-100BBI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CYD18S72V-100BBI Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Speichergröße | 18Mb (256K x 72) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 100MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.465V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 484-BGA |
| Lieferantengerätepaket | 484-FBGA (23x23) |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns Zugriffszeit 12ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket 28-TSOP I |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 576Kb (64K x 9) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
