CYD09S36V18-200BBXC
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Teilenummer | CYD09S36V18-200BBXC |
PNEDA Teilenummer | CYD09S36V18-200BBXC |
Beschreibung | IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA |
Hersteller | Cypress Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.946 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CYD09S36V18-200BBXC Ressourcen
Marke | Cypress Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | CYD09S36V18-200BBXC |
Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Datenblatt |
CYD09S36V18-200BBXC, CYD09S36V18-200BBXC Datenblatt
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CYD09S36V18-200BBXC Technische Daten
Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
Serie | - |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Speichergröße | 9Mb (256K x 36) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 3.3ns |
Spannung - Versorgung | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 256-LBGA |
Lieferantengerätepaket | 256-FBGA (17x17) |
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