Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

CYD09S18V18-200BBXC

CYD09S18V18-200BBXC

Nur als Referenz

Teilenummer CYD09S18V18-200BBXC
PNEDA Teilenummer CYD09S18V18-200BBXC
Beschreibung IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $1.347,9744
50 ---------- $1.284,7881
100 ---------- $1.221,6018
200 ---------- $1.158,4155
400 ---------- $1.105,7603
500 ---------- $1.053,1050
Auf Lager 5.568
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CYD09S18V18-200BBXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCYD09S18V18-200BBXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CYD09S18V18-200BBXC, CYD09S18V18-200BBXC Datenblatt (Total Pages: 53, Größe: 1.276,17 KB)
PDFCYD36S36V18-200BGXC Datenblatt Cover
CYD36S36V18-200BGXC Datenblatt Seite 2 CYD36S36V18-200BGXC Datenblatt Seite 3 CYD36S36V18-200BGXC Datenblatt Seite 4 CYD36S36V18-200BGXC Datenblatt Seite 5 CYD36S36V18-200BGXC Datenblatt Seite 6 CYD36S36V18-200BGXC Datenblatt Seite 7 CYD36S36V18-200BGXC Datenblatt Seite 8 CYD36S36V18-200BGXC Datenblatt Seite 9 CYD36S36V18-200BGXC Datenblatt Seite 10 CYD36S36V18-200BGXC Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • CYD09S18V18-200BBXC Datasheet
  • where to find CYD09S18V18-200BBXC
  • Cypress Semiconductor

  • Cypress Semiconductor CYD09S18V18-200BBXC
  • CYD09S18V18-200BBXC PDF Datasheet
  • CYD09S18V18-200BBXC Stock

  • CYD09S18V18-200BBXC Pinout
  • Datasheet CYD09S18V18-200BBXC
  • CYD09S18V18-200BBXC Supplier

  • Cypress Semiconductor Distributor
  • CYD09S18V18-200BBXC Price
  • CYD09S18V18-200BBXC Distributor

CYD09S18V18-200BBXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße9Mb (512K x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3.3ns
Spannung - Versorgung1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall256-LBGA
Lieferantengerätepaket256-FBGA (17x17)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

512Gb (64G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

152-TBGA

Lieferantengerätepaket

152-TBGA (14x18)

24C65-I/P

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

IS42RM16160E-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TFBGA

Lieferantengerätepaket

54-TFBGA (8x8)

W25Q16DWUUIG

Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-USON (4x3)

CYD02S36VA-167BBC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

2Mb (64K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.4ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

256-LBGA

Lieferantengerätepaket

256-FBGA (17x17)

Kürzlich verkauft

ACPL-M21L-500E

ACPL-M21L-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 5SO

M24M01-RMN6P

M24M01-RMN6P

STMicroelectronics

IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SO

ATXMEGA16A4U-AU

ATXMEGA16A4U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 16KB FLASH 44TQFP

MCP6042T-I/SN

MCP6042T-I/SN

Microchip Technology

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

LM2901DR

LM2901DR

Rohm Semiconductor

IC COMPARATOR QUAD GP 14-SOIC

IRFR5410TRRPBF

IRFR5410TRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 100V 13A DPAK

ILBB0805ER110V

ILBB0805ER110V

Vishay Dale

FERRITE BEAD 11 OHM 0805 1LN

MAX912ESE

MAX912ESE

Maxim Integrated

IC COMPARATOR TTL HS LP 16-SOIC

STPS40170CGY-TR

STPS40170CGY-TR

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V D2PAK

ADM3202ARNZ-REEL

ADM3202ARNZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

APT2012EC

APT2012EC

Kingbright

LED RED CLEAR CHIP SMD

IRF7853PBF

IRF7853PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC