CY7S1061GE30-10BVM
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7S1061GE30-10BVM |
| PNEDA Teilenummer | CY7S1061GE30-10BVM |
| Beschreibung | 16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.212 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 17 - Feb 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7S1061GE30-10BVM Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7S1061GE30-10BVM |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7S1061GE30-10BVM Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 16Mb (1M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
| Zugriffszeit | 10ns |
| Spannung - Versorgung | 2.2V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 48-VFBGA (6x8) |
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