CY7S1041GE30-10BVXIT
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| Teilenummer | CY7S1041GE30-10BVXIT |
| PNEDA Teilenummer | CY7S1041GE30-10BVXIT |
| Beschreibung | IC SRAM 4M PARALLEL |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.858 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7S1041GE30-10BVXIT Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7S1041GE30-10BVXIT |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7S1041GE30-10BVXIT Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
| Zugriffszeit | 10ns |
| Spannung - Versorgung | 2.2V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 48-VFBGA (6x8) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EPROM Technologie EPROM - OTP Speichergröße 512Kb (64K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 150ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-DIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 28-PDIP |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 2Mb (256K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 2.2V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 36-TFBGA Lieferantengerätepaket 36-TFBGA (6x8) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TFBGA Lieferantengerätepaket 54-TFBGA (8x8) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-CABGA (13x15) |
