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CY7C4121KV13-667FCXC

CY7C4121KV13-667FCXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C4121KV13-667FCXC
PNEDA Teilenummer CY7C4121KV13-667FCXC
Beschreibung IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $2.776,5180
50 ---------- $2.646,3687
100 ---------- $2.516,2195
200 ---------- $2.386,0702
400 ---------- $2.277,6124
500 ---------- $2.169,1547
Auf Lager 9.481
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C4121KV13-667FCXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C4121KV13-667FCXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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CY7C4121KV13-667FCXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR IV
Speichergröße144Mb (8M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.26V ~ 1.34V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall361-BBGA, FCBGA
Lieferantengerätepaket361-FCBGA (21x21)

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MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

168-WFBGA

Lieferantengerätepaket

168-WFBGA (12x12)

MT28HL04GGBB1EBK-0GCT

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MTFC128GAPALNA-AAT ES

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

71256L100DB

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-CDIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

28-CerDip

W9425G6JB-5I

Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-TFBGA (8x13)

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