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CY7C2565KV18-400BZC

CY7C2565KV18-400BZC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C2565KV18-400BZC
PNEDA Teilenummer CY7C2565KV18-400BZC
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $627,0013
50 ---------- $597,6107
100 ---------- $568,2200
200 ---------- $538,8293
400 ---------- $514,3370
500 ---------- $489,8448
Auf Lager 1.927
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C2565KV18-400BZC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C2565KV18-400BZC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C2565KV18-400BZC, CY7C2565KV18-400BZC Datenblatt (Total Pages: 30, Größe: 756,57 KB)
PDFCY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Cover
CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 2 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 3 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 4 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 5 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 6 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 7 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 8 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 9 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 10 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 11

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CY7C2565KV18-400BZC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II+
Speichergröße72Mb (2M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

119-BGA

Lieferantengerätepaket

119-PBGA (14x22)

MT53D8DBWF-DC TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

376-WFBGA

Lieferantengerätepaket

376-WFBGA (14x14)

BR93A86RFVM-WMTR

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (1K x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

M50FW080K5G

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

33MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

250ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-20°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

32-PLCC (11.35x13.89)

S70GL02GS12FHB020

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (13x11)

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