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CY7C2563KV18-500BZXI

CY7C2563KV18-500BZXI

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C2563KV18-500BZXI
PNEDA Teilenummer CY7C2563KV18-500BZXI
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 8.640
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C2563KV18-500BZXI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C2563KV18-500BZXI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C2563KV18-500BZXI, CY7C2563KV18-500BZXI Datenblatt (Total Pages: 30, Größe: 756,57 KB)
PDFCY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Cover
CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 2 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 3 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 4 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 5 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 6 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 7 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 8 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 9 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 10 CY7C2565KV18-500BZXC Datenblatt Seite 11

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CY7C2563KV18-500BZXI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II+
Speichergröße72Mb (4M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz500MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II+

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

BQ4013YMA-85N

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

85ns

Zugriffszeit

85ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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