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CY7C199CN-20ZXI

CY7C199CN-20ZXI

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C199CN-20ZXI
PNEDA Teilenummer CY7C199CN-20ZXI
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
Hersteller Cypress Semiconductor
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CY7C199CN-20ZXI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C199CN-20ZXI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C199CN-20ZXI, CY7C199CN-20ZXI Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 583,7 KB)
PDFCY7C199CN-12VXAT Datenblatt Cover
CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 2 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 3 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 4 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 5 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 6 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 7 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 8 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 9 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 10 CY7C199CN-12VXAT Datenblatt Seite 11

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CY7C199CN-20ZXI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite20ns
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Lieferantengerätepaket28-TSOP I

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

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Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

34-PowerCap™ Module

Lieferantengerätepaket

34-PowerCap Module

7006L70GB

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SOIC

7024L55PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

7015L15PF8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

72Kb (8K x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

80-TQFP (14x14)

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