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CY7C199CN-15PXC

CY7C199CN-15PXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C199CN-15PXC
PNEDA Teilenummer CY7C199CN-15PXC
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 2.522
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C199CN-15PXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C199CN-15PXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C199CN-15PXC, CY7C199CN-15PXC Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 211,45 KB)
PDFCY7C199CNL-15VXIT Datenblatt Cover
CY7C199CNL-15VXIT Datenblatt Seite 2 CY7C199CNL-15VXIT Datenblatt Seite 3 CY7C199CNL-15VXIT Datenblatt Seite 4 CY7C199CNL-15VXIT Datenblatt Seite 5 CY7C199CNL-15VXIT Datenblatt Seite 6 CY7C199CNL-15VXIT Datenblatt Seite 7 CY7C199CNL-15VXIT Datenblatt Seite 8 CY7C199CNL-15VXIT Datenblatt Seite 9 CY7C199CNL-15VXIT Datenblatt Seite 10 CY7C199CNL-15VXIT Datenblatt Seite 11

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CY7C199CN-15PXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit15ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall28-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket28-PDIP

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-SOJ

MT41K256M8HX-187E:D

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

13.125ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 2.4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.1V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-XFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-USON (2x3)

MT46V32M16TG-6T:F TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

66-TSOP

PC28F512M29EWHG

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (64M x 8, 32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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