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CY7C199C-12VXC

CY7C199C-12VXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C199C-12VXC
PNEDA Teilenummer CY7C199C-12VXC
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 3.564
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Voraussichtliche Lieferung Jan 11 - Jan 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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CY7C199C-12VXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C199C-12VXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C199C-12VXC, CY7C199C-12VXC Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 298,73 KB)
PDFCY7C199C-20ZXIT Datenblatt Cover
CY7C199C-20ZXIT Datenblatt Seite 2 CY7C199C-20ZXIT Datenblatt Seite 3 CY7C199C-20ZXIT Datenblatt Seite 4 CY7C199C-20ZXIT Datenblatt Seite 5 CY7C199C-20ZXIT Datenblatt Seite 6 CY7C199C-20ZXIT Datenblatt Seite 7 CY7C199C-20ZXIT Datenblatt Seite 8 CY7C199C-20ZXIT Datenblatt Seite 9 CY7C199C-20ZXIT Datenblatt Seite 10 CY7C199C-20ZXIT Datenblatt Seite 11

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CY7C199C-12VXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOJ

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Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

85MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5µs, 2.5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IS64LF204818B-7.5TQLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

36Mb (2M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

117MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-LQFP (14x20)

IS61NVP102418-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-LQFP (14x20)

BU9833GUL-WE2

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UFBGA, CSPBGA

Lieferantengerätepaket

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MT29F128G08CECABH1-12Z:A

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

128Gb (16G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

83MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-VBGA

Lieferantengerätepaket

100-VBGA (12x18)

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